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Transistor de Potencia para PA61ACRSF (MRF1570N).

$79 $39.5
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Caractersticas Principales Frecuencia de operacin: Hasta 470 MHz Potencia de salida: 70 Watts Tensin de alimentacin: 12.5 Vdc Ganancia: 11.5 dB Eficiencia: 60% Tecnologa: MOSFET de canal N lateral Capacidad…

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Caractersticas Principales

  • Frecuencia de operacin: Hasta 470 MHz
  • Potencia de salida: 70 Watts
  • Tensin de alimentacin: 12.5 Vdc
  • Ganancia: 11.5 dB
  • Eficiencia: 60%
  • Tecnologa: MOSFET de canal N lateral
  • Capacidad para manejar VSWR de 20:1
  • Paquete plstico capaz de 200C
  • Cumple con RoHS (sufijo N para terminales libres de plomo)

Aplicaciones

  • Equipos de comunicacin mvil FM
  • Amplificadores de seal RF
  • Equipos industriales y comerciales
  • Sistemas de radiofrecuencia

Caractersticas de Diseo

  • Estabilidad trmica excelente
  • Parmetros de impedancia equivalente en serie
  • Disponibilidad de informacin del amplificador de demostracin
  • Paquete plstico TO-272-8
  • Disponible en formato de cinta y carrete (500 unidades por carrete de 44 mm)

Ratings Mximos

  • Voltage D-S: +0.5 a +40 Vdc
  • Voltage G-S: 20 Vdc
  • Disipacin: 165 W @ 25C
  • Derating: 0.5 W/C sobre 25C
  • T. Almacenamiento: -65 a +150 C
  • T. Unin: 200 C

Caractersticas Trmicas

  • RJC: 0.29 C/W

Proteccin ESD

  • Modelo Humano: Clase 1 (Mnimo)
  • Modelo Mquina: M2 (Mnimo)
  • Modelo Carga Dispositivo: C2 (Mnimo)

Sensibilidad a la Humedad

  • Estndar: JESD22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
  • Nivel: 3
  • Temperatura pico: 260 C

Caractersticas OFF

  • IDSS: Mx 1 A (VDS = 60 Vdc, VGS = 0 Vdc)

Caractersticas ON

  • VGS(th): 1 a 3 Vdc (VDS = 12.5 Vdc, ID = 0.8 mAdc)
  • VDS(on): Mx 1 Vdc (VGS = 10 Vdc, ID = 2.0 Adc)

Caractersticas Dinmicas

  • Ciss: Mx 500 pF
  • Coss: Mx 250 pF
  • Crss: Mx 35 pF

Caractersticas RF

  • Ganancia: 11.5 dB
  • Eficiencia: 60%

Frecuencias de Operacin

  • 135-175 MHz
  • 400-470 MHz
  • 450-520 MHz

Configuracin del Amplificador

  • Amplificador de fuente comn
  • Polarizacin de compuerta y drenaje
  • Redes de entrada/salida con microstrip
  • Componentes pasivos de RF

Condiciones de Prueba

  • VDD = 12.5 Vdc
  • IDQ = 800 mA
  • Frecuencia de prueba: 470 MHz
  • Pout = 70 W
  • Pin = 36-38 dBm

Componentes de Prueba

  • Condensadores de chip de 100 mil
  • Inductores de 1 a 2 vueltas
  • Resistencias de chip (1206)
  • Beads de ferrita
  • Microstrip de diferentes dimensiones
  • Condensadores electrolticos

Condiciones Ambientales

  • Temperatura de prueba: 25C
  • Temperatura de almacenamiento: -65 a +150 C
  • Temperatura de operacin: Hasta 200 C

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