Caractersticas Principales

• Rango de frecuencia: 860-900 MHz
• Potencia de salida: Hasta 85 Watts
• Clase AB, NPN, emisor comn
• Tensin de colector: 25 Vdc
• Reemplazo directo para etapa final
• Diseo compacto y eficiente

Especificaciones Elctricas

• Breakdown Voltage C to E: 25-30 V
• Breakdown Voltage C to B: 55-70 V
• Breakdown Voltage E to B: 3.5-5 V
• DC Current Gain: 20-100

RF Specifications

• Ganancia: 8.5-9.5 dB
• Eficiencia: 50%
• Tolerancia a desadaptacin: 10:1
• Impedancia: 1.7-0.8 R, -1.6 jX

Mximas Calificaciones

• VCE: 40 Vdc
• VBC: 65 Vdc
• VEB: 4.0 Vdc
• IC: 20 Adc

Grficos de Rendimiento

• Intermodulacin vs. Potencia de salida
• Eficiencia vs. Potencia de salida
• Ganancia vs. Frecuencia
• Potencia vs. Tensin de alimentacin

Aplicaciones

• Sistemas de comunicacin celular
• Amplificadores de seal
• Equipos de radiofrecuencia
• Infraestructura de telecomunicaciones