Caractersticas principales

• Potencia de salida de hasta 84W tpicamente
• Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
• Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete
• Diodo integrado de proteccin para la puerta
• Diseado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia

Especificaciones elctricas

• Tensin drenaje-fuente: 40V (mx.)
• Tensin puerta-fuente: -5/+10V
• Disipacin del canal: 300W
• Corriente de drenaje: 20A (mx.)
• Temperatura de canal: 175C
• Resistencia trmica: 0.5C/W

Desempeo RF

• Potencia de salida: 84W tpico a 175MHz
• Eficiencia: 74% tpico a 175MHz
• Potencia de entrada: 4.0W a 175MHz
• Potencia de salida: 75W tpico a 530MHz
• Eficiencia: 64% tpico a 530MHz
• Potencia de entrada: 5.5W a 530MHz

Frecuencia de operacin

• Rango VHF: 135-175 MHz
• Rango UHF: 450-530 MHz
• Frecuencias tpicas: 135, 155, 175, 450, 490, 530 MHz

Condiciones de prueba

• Tensin de prueba: 12.5V
• Corriente de polarizacin: 1.0A total / 0.5A por lado
• Impedancia: 50
• Tasa de VSWR: 20:1

Compatibilidad

• Cumple con RoHS
• Plomo en soldaduras de alta temperatura (ms del 85%)
• Excepcin aplicable: Soldaduras de alta temperatura

Aplicaciones

• Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
• Sistemas de radio mvil VHF/UHF
• Equipos de comunicacin de banda ancha

Condiciones ambientales

• Temperatura de operacin: -40C a 175C
• Temperatura de almacenamiento: -40C a 175C
• Temperatura de prueba: 25C (a menos que se indique)

Caractersticas elctricas tpicas

• Corriente de drenaje sin tensin de puerta: 150A
• Corriente de fuga puerta-fuente: 2.5A
• Tensin umbral de puerta: 1.6V (mn.) – 2.4V (mx.)

Configuracin del circuito

• Paquete de moldeado
• Conexin de mltiples electrodos
• Diseo para evaluacin VHF (135-175MHz)

Composicin del paquete

• Material: Silicio
• Encapsulado: Paquete de molde
• Configuracin de pines
• Cumple con estndares RoHS

Configuracin de pines

• 1. Fuente (comn)
• 2. Drenaje
• 3. Drenaje
• 4. Fuente (comn)
• 5. Fuente (comn)
• 6. Puerta
• 7. Puerta
• 8. Fuente (comn)
• 9. Fuente (comn)

Caractersticas de diseo

• Diseo para alta eficiencia
• Optimizado para VHF/UHF
• Conexin de mltiples electrodos
• Construccin de bajo ESR

Evaluacin y prueba

• Evaluacin en placa de prueba VHF
• Impedancia caracterstica: 50
• Material del sustrato: Epoxi de vidrio
• Const. dielctrica: 4.8 @1GHz
• Tangente de prdida: 0.018 @1GHz
• Documentacin: AN-VHF-049

Componentes asociados

• Capacitores cermicos de alta Q
• Bobinas de precisin
• Resistencias de chip SMD
• Capacitores electrolticos de 220F