Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaos de caractersticas similares a los de los circuitos integrados LSI, ofrece una…
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Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaos de caractersticas similares a los de los circuitos integrados LSI, ofrece una utilizacin ptima del silicio, lo que se traduce en un rendimiento excepcional. Se han diseado para su uso en aplicaciones como reguladores de conmutacin, convertidores de conmutacin, controladores de motores y controladores de rels. Estos transistores pueden funcionar directamente desde circuitos integrados.
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