Caractersticas Principales

• Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
• Potencia de salida de 40 Watt
• Operacin a 13.6 VCC estable
• Diseo compacto y eficiente trmicamente
• Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas

Especificaciones Bsicas

• Tipo: Transistor bipolar NPN
• Frecuencia: 160 MHz
• Tensin de alimentacin: 13.6 VCC
• Configuracin: Emisor comn
• Aplicacin: Comunicaciones VHF

Lmites Mximos

• VCBO: 36 V
• VCEO: 16 V
• VCES: 36 V
• VEBO: 4.0 V
• IC: 8.0 A
• PDISS: 70 W
• TJ: +200 C
• TSTG: -65 a +150 C

Especificaciones Dinmicas

• POUT: 40 W (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)
• GP: 9 dB (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)
• COB: 95 pF (f=1 MHz, VCB=15 V)

Especificaciones Estticas

• BVCES: 36 V (IC=15 mA, VBE=0 mA)
• BVCEO: 16 V (IC=50 mA, IB=0 mA)
• BVEBO: 4.0 V (IE=5 mA, IC=0 mA)
• ICBO: 5 mA (VCB=15 V, IE=0 mA)
• hFE: 20 (VCE=5 V, IC=250 mA)

Datos Trmicos

• RTH(j-c): 1.2 C/W

Datos de Impedancia

• ZIN (): 1.0 + j 0.4 (160 MHz)
• ZCL (): 2.3 + j 0.1 (160 MHz)

Nota: PIN = 3.0 W; VCE = 12.5 V

Conexiones

• 1: Colector
• 2: Emisor
• 3: Base
• 4: Emisor

Dimensiones Mecnicas (M113)

• A: 5.59-5.84 mm (0.220-0.230′)
• B: 19.94 mm (0.785′)
• C: 18.29-18.54 mm (0.720-0.730′)
• D: 24.64-24.89 mm (0.970-0.980′)
• E: 9.78 mm (0.385′)

Dimensiones Mecnicas (M113) Cont.

• F: 0.10-0.15 mm (0.004-0.006′)
• G: 2.16-2.67 mm (0.085-0.105′)
• H: 4.06-4.57 mm (0.160-0.180′)
• I: 7.11 mm (0.280′)
• J: 6.10-6.48 mm (0.240-0.255′)

Rendimiento Tpico

• Diseo con geometra de emisor amortiguado para soportar condiciones extremas de desadaptacin de carga
• Caractersticas elctricas especificadas a 25C
• Paquete plstico encapsulado con epoxi
• Frecuencia de operacin: hasta 160 MHz
• Tensin de colector-emisor: 16 V (mx.)

Aplicaciones

• Sistemas de comunicacin VHF
• Amplificadores de potencia RF
• Equipos de radio mvil
• Transmisores de alta frecuencia
• Sistemas de comunicacin de alta confiabilidad

Informacin de Pedido

• Cdigo de pedido: SD1275-01
• Marcaje: SD1275-1
• Paquete: M113
• Embalaje: Bandejas plsticas

Datos Adicionales

• Revisin: 2
• Fecha de revisin: Mayo 2004
• Tipo de transistor: Silicio epitaxial
• Clase de operacin: Clase C