Caractersticas Principales

• Transistor NPN de silicio para alta potencia
• Voltaje de colector a base hasta 500 V
• Corriente mxima de 15 A
• Capacidad de disipacin hasta 80 Watt
• Empaque TO-3PN para alta confiabilidad

Aplicaciones

• Reguladores de Switcheo
• Generadores Ultrasnicos
• Inversores de Alta Frecuencia
• Amplificadores de Potencia de Uso General

Caractersticas Elctricas

• VCBO: 500 V (Colector-Base)
• VCEO: 400 V (Colector-Emisor)
• VEBO: 7 V (Emisor-Base)
• IC: 15 A (Corriente de Colector)
• PC: 80 W (Disipacin de Potencia)

Especificaciones Tcnicas

• Tensin de ruptura V(BR)CEO: 400 V
• Tensin de ruptura V(BR)CBO: 500 V
• VCEsat: 1.0 V (IC=6A, IB=1.2A)
• VBEsat: 1.5 V (IC=6A, IB=1.2A)
• Corriente de fuga ICBO: 1.0 mA (VCB=500V, IE=0)

Caractersticas Trmicas

• Rth(j-c): 1.56 C/W (Resistencia trmica)
• Tj: 150 C (Temperatura de unin)
• Tstg: -65~150 C (Almacenamiento)

Conexiones (TO-3PN)

• Pin 1: Base
• Pin 2: Colector (conectado a base de montaje)
• Pin 3: Emisor

Tiempo de Conmutacin

• ton: 0.5 s
• ts: 1.5 s (IB2=-3A, RL=20)
• tf: 0.15 s

Ganancia de Corriente

• hFE: 10 (IC=6A, VCE=5V)