Caractersticas Principales

• Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
• Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
• Potencia de salida mxima de 100 vatios
• Voltaje de colector de 12.5 VCC
• Diseo robusto para alta eficiencia energtica

Aplicaciones

• Sistemas de comunicacin VHF
• Transmisores FM
• Amplificadores de potencia RF

Especificaciones RF

• Frecuencia: 175 MHz
• Potencia de salida: 100 W
• Relacin de ganancia: 6.0 dB
• Impedancia entrada: 1.5 – j 0.9
• Impedancia carga: 0.5 – j 1.0

Especificaciones Elctricas

• Voltaje colector-base: 36 V
• Voltaje colector-emisor: 18 V
• Voltaje emisor-base: 4.0 V
• Corriente colector: 20 A
• Disipacin de potencia: 270 W

Especificaciones Trmicas

• Resistencia trmica (junto-case): 0.65 C/W
• Temperatura de unin: +200 C
• Temperatura almacenamiento: -65 a +150 C

Conexiones y Empaque

• Conexin colector: Perno
• Conexin base: Cable
• Conexin emisor: Cable
• Tipo de empaque: Sellado con epoxi

Condiciones de Prueba

• Frecuencia: 175 MHz
• Voltaje de prueba: 12.5 VCC
• Potencia de entrada: 25 W
• Clase de operacin: Clase C